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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 New thermal optimization scheme of power module in solid-state amplifier 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Sun, Lie-Peng;  Yuan, Zhen-Yu;  Zhang, Cheng;  Xu, Xian-Bo;  Miao, Jun-Gang   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/11/10 RF system  Solid-state amplifier  Power module  Heat transfer coefficient   同步扫描条纹相机功率驱动关键技术研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者:  周鹏宇 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/06/08 条纹相机  功率驱动  LDMOS   600V SOI高压器件的设计与性能的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012 王中健 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/24 SOI  LDMOS  LIGBT  高压器件  功率集成电路   薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257 王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/02/22 绝缘体上硅  横向扩散金属氧化物半导体  击穿电压  线性渐变掺杂  注氧键合   Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105 Wang, ZJ; Cheng, XH; He, DW; Xia, C; Xu, DW; Yu, YH; Zhang, D; Wang, YY; Lv, YQ; Gong, DW; Shao, K 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 SOI  Simbond  High voltage device  LDMOS   Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105 Wang, ZJ; Cheng, XH（重点实验室）; He, DW; Xia, C; Xu, DW; Yu, YH（重点实验室）; Zhang, D; Wang, YY; Lv, YQ; Gong, DW; Shao, K 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Electrical & Electronic  Nanoscience & Nanotechnology  Applied  Optics   500MHz多路功率合成器及固态功率放大器研制 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院, 2011 殷波 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2012/08/15 高功率  LDMOS  固态发射机  功率合成器  固态功率放大器   高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2010, 期号: 01 王磊; 杨华岳 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅锗  注氧隔离  埋氧  氧化   Analysis and modeling of quasi-saturation effect in high-voltage LDMOS transistors 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 571-578 Wang, L; Yang, S 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 MOSFET MODEL  DEVICES  CIRCUIT  INSIGHTS  DESIGN  ANALOG   LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6，968-973 作者:  杜寰;  刘梦新;  陈蕾;  宋李梅   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/06/01 横向双扩散场效应晶体管  静电放电防护  深漏极注入  击穿现象