中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
金属研究所 [1]
新疆理化技术研究所 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
上海光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2009 [1]
2006 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
薄膜宏观应力的微观表征方法研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013
作者:
蔺玲
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2016/11/28
二氧化铪薄膜,残余应力,弹性常数,微观表征,掠入射X射线衍射
高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性(英文)
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 71-74
作者:
武德起
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/11/29
高介电栅介质材料
激光分子束外延
二氧化铪
HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
卓木金
;
马秀良
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/04/12
界面层厚度:7807
栅介质层:3216
相对介电常数:2195
薄膜:2048
二氧化硅:1902
氧化铪:1889
透射电子显微镜:1813
等效厚度:1778
退火温度:1778
化学成分:1696
采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 期号: 03
苏树兵
;
刘训春
;
刘新宇
;
于进勇
;
王润梅
;
徐安怀
;
齐鸣
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/01/06
二氧化铪
离子束增强沉积
高k电介质