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	基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究期刊论文 OAI收割核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者: 孙静; 郭旗; 郑齐文; 崔江维; 何承发 \| 收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2020/01/03 辐照传感器基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管剂量计
	电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256 作者: 周航; 崔江维; 郑齐文; 郭旗; 任迪远收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2015/06/26 可靠性绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管总剂量效应电应力
	判断煤与瓦斯突出危险性的三维模型会议论文 OAI收割中国力学大会——2013, 中国北京, 2013-08-19 作者: 陈力; 乔继延; 丁雁生; 陈力; 丁雁生收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2014/04/02 三维模型煤与瓦斯突出瓦斯压力判断危险性煤体变形弹脆性有效应力原理激波管模拟实验层裂地应力可靠性粉化合关系数值模拟
	0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012 罗杰馨收藏 \| 浏览/下载：126/0 \| 提交时间：2013/04/24 绝缘体上的硅部分耗尽浮体效应记忆效应隧道二极管
	SOI动态阈值MOS器件结构改进期刊论文 OAI收割微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 5，280-284 作者: 宋文斌; 毕津顺; 韩郑生 \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2010/06/01 绝缘体上硅动态阈值场效应管体电容体电阻
	用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力会议论文 OAI收割第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009 毕大炜; 张正选; 张帅; 俞文杰; 陈明收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2012/01/18 总剂量辐射效应晶体管注氧隔离绝缘体上硅加固工艺注硅加固材料
	SOI LDMOSFET的背栅特性期刊论文 OAI收割半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152 作者: 毕津顺; 宋李梅; 海潮和; 韩郑生 \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管背栅效应
	长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺期刊论文 OAI收割半导体光电, 2007, 期号: 05 刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢收藏 \| 浏览/下载：41/0 \| 提交时间：2012/01/06 注氧隔离绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 MOS晶体管
	双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟期刊论文 OAI收割半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 35-40 作者: 毕津顺; 吴峻峰; 海潮和 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2010/05/26 双栅结构动态阈值全耗尽绝缘体上硅 Nmos场效应晶体管