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InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李慧梅
收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2016/06/02
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/01
结构参数对介质阻挡放电击穿电压影响 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会, 2012
曾菊瑛; 孙保民; 肖海平; 汪涛; 段二朋; 信晶
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/21
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257
王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2013/02/22
具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，554-558
作者:  魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27
不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性 期刊论文  OAI收割
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334
作者:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29
击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制 期刊论文  OAI收割
微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 4,72_75
作者:  韩郑生;  王晓慧
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/26
具有加长LDD结构的高压CMOS器件 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 7,246_252
作者:  杜寰;  王晓慧;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26
高压nLDMOS漂移区的设计研究 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 5,635_639
作者:  杜寰;  夏洋;  王文博;  宋李梅
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26
新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 4,503_506
作者:  陆江;  蔡小五;  海潮和;  王立新
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26