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	谐振式微型电场传感器制作工艺研究学位论文 OAI收割硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013 刘伟收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2013/06/09 谐振式绝缘体上硅微型电场传感器聚酰亚胺深度反应离子刻蚀
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	基于Taguchi三次设计的微机械陀螺健壮性设计期刊论文 OAI收割上海交通大学学报, 2008, 期号: 02 张正福; 王安麟; 刘广军; 姜涛; 焦继伟收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2012/01/06 体硅工艺深度反应离子刻蚀背片技术面内侧面压阻纳米级定位平台
	深刻蚀光栅的最新进展期刊论文 OAI收割中国科学基金, 2007, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 354 无收藏 \| 浏览/下载：1289/151 \| 提交时间：2009/09/18 亚波长光栅深刻蚀表面浮雕结构激光核聚变装置偏振控制刻蚀深度衍射效率光学器件
	亚波长周期结构光栅的制作工艺和理论关系研究会议论文 OAI收割中国长春作者: 曹召良; 卢振武; 孙强收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2013/03/19 制作工艺占空比光栅周期刻蚀深度最佳结合点
	SiC超细粉末的XPS研究期刊论文 OAI收割化工冶金, 1987, 期号: 03, 页码: 18-25 作者: 郭家银; 郑国梁收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2014/08/27 超细粉末 SiC XPS 电子结合能氩离子刻蚀深度分布表面元素过热处理表面层覆盖层