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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:
孙静
;
郭旗
;
郑齐文
;
崔江维
;
何承发
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/01/03
辐照传感器
基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管
剂量计
硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器
期刊论文
OAI收割
中国光学, 2019, 卷号: 12, 期号: 02, 页码: 229-241
作者:
杜悦宁
;
陈超
;
秦莉
;
张星
;
陈泳屹
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2020/08/24
窄线宽
可调谐激光器
硅光子芯片
外腔
半导体激光器
硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2016, 期号: 1, 页码: 63-73
作者:
周吉
;
贺志宏
;
于孝军
;
杨东来
;
董士奎
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/09/17
硅基半导体
载流子浓度
热光效应
电光效应
电热调控
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
作者:
周航
;
崔江维
;
郑齐文
;
郭旗
;
任迪远
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/06/26
可靠性
绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管
总剂量效应
电应力
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
周旭亮
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提交时间:2014/05/28
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2014
-
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浏览/下载:311/0
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提交时间:2016/11/06
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257
王中健
;
夏超
;
徐大伟
;
程新红
;
宋朝瑞
;
俞跃辉
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2013/02/22
绝缘体上硅
横向扩散金属氧化物半导体
击穿电压
线性渐变掺杂
注氧键合
双面二维硅微条探测器的沾污失效分析及修复;Contamination failure analysis and repairing for double side two dimensional silicon microstrip detectors
期刊论文
OAI收割
光学精密工程;Optics and Precision Engineering, 2010, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 2616-2623
韩励想
;
李占奎
;
鲁皖
;
胡钧
;
杨彦云
;
王柱生
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提交时间:2011/04/20
半导体探测器
硅微条p-n结
沾污
修复
Er2O3/Si薄膜界面层研究
会议论文
OAI收割
2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会, 杭州, 2010-10-08
汪雪
;
朱银莲
;
马秀良
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/08/21
半导体器件
稀土氧化物
硅衬底
硅微条探测器的研制
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
韩励想
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2011/06/29
硅微条
位置灵敏探测器
微电子工艺线
半导体
P-n 结