机构

• 微电子研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2008, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4，754-756,777 作者:  蔡小五;  海潮和;  陆江;  王立新;  刘刚   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/27 叠层栅  界面态电荷  氧化物俘获电荷  电容   高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453 作者:  林钢;  徐秋霞;  周华杰;  钟兴华   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮氧叠层栅介质  W／tin金属栅  非cmp平坦化   超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，651-655 作者:  钟兴华;  吴峻峰;  杨建军;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮化硅／氮氧化硅复合叠层栅介质  高^  硼穿通  金属栅   恒压应力下超薄Si3N4／SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1717-1721 作者:  林钢;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 恒压应力  超薄si3n4／sio2  叠层栅介质  超薄sio2栅介质  栅介质寿命预测