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OAI收割 [12]
内容类型
期刊论文 [11]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [1]
2001 [1]
1998 [1]
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学科主题
光学材料;晶体 [2]
半导体材料 [1]
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共12条,第1-10条
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II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
任敬川
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/06/03
II-VI族半导体
分子束外延
ZnSeTe
单晶薄膜
掺杂
化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
期刊论文
OAI收割
电子元件与材料, 2006, 期号: 11
朱大鹏
;
王立春
;
胡永达
;
罗乐
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2012/01/06
无机非金属材料
PbSe单晶薄膜
分子束外延
应变弛豫
螺旋结构
气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2006, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1424, 1428
张俊刚
;
夏长泰
;
吴锋
;
裴广庆
;
李抒智
;
徐军
;
周圣明
;
邓群
;
徐悟生
;
史宏声
收藏
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浏览/下载:956/185
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提交时间:2009/09/24
薄膜光学
复合衬底
GaN外延膜
气相传输平衡技术
β-Ga2O3单晶
LiGaO2薄膜
色心
显微成像荧光屏用无机闪烁单晶薄膜的研究进展
期刊论文
OAI收割
无机材料学报, 2005, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 267, 273
庞辉勇
;
赵广军
;
介明印
;
曾雄辉
;
夏长泰
;
周圣明
;
徐军
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浏览/下载:1223/262
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提交时间:2009/09/24
亚微米成像
荧光屏
无机闪烁单晶薄膜
液相外延
X-RAY-DETECTORS
LUMINESCENT SCREENS
MICROTOMOGRAPHY
用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2004, 期号: 02, 页码: 147-150
作者:
申德振
;
李炳辉
;
赵东旭
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/03/11
氧化锌单晶薄膜
射频等离子体
分子束外延
蓝宝石衬底
超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2001, 期号: 06
刘卫丽
;
多新中
;
张苗
;
沈勤我
;
王连卫
;
林成鲁
;
朱剑豪
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/29
K1 多孔硅
超高真空电子束蒸发
外延
单晶硅
外延单晶La2/3Ca1/3MnO3—δ薄膜中磁电阻的磁场依赖关系
期刊论文
OAI收割
中国科学:A辑, 1998, 卷号: 028
作者:
李西军
;
方军
;
李可斌
;
杜家驹
;
王智河
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2020/10/26
外延单晶
薄膜
巨磁电阻效应
磁场
磁电阻
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1996, 期号: 10, 页码: 8
作者:
孙力
;
陈延峰
;
于涛
;
闵乃本
;
姜晓明
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/25
铁电薄膜
摇摆曲线
择优取向
重掺杂硅单晶
多晶薄膜
薄膜质量
钛酸铅
外延生长
铁电性能
化学计量比
热解氮化硼坩埚的研制及其在分子束外延中的应用
期刊论文
OAI收割
硅酸盐通报, 1986, 期号: 5, 页码: 28-33
赵凤鸣
;
黄运衡
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/04/12
分子束外延:7080
氮化硼:3372
真空性能:3096
物理和化学性能:2656
七十年:2046
热解:2038
六十年代:1912
陶瓷材料:1835
单晶薄膜:1815
喷射炉:1784
GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 1986, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
熊兴民
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2015/12/25
晶体生长
正电子湮没
生长晶体
熔体生长
电子陷阱
晶体缺陷
液相外延生长
单晶生长
空位缺陷
元素半导体