机构

• 微电子研究所 [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2014 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269 作者:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/10/13 总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源   辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 304-306 作者:  韩郑生;  海潮和;  赵洪辰;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 总剂量辐照  寄生双极晶体管  绝缘体上硅   SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 575-577 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/05/26 寄生双极晶体管  增益  掺杂浓度  硅膜厚度  硅化物   SOI器件中浮体效应的研究进展 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2002, 期号: 03 朱鸣; 林成鲁; 邢昆山 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2012/01/06 浮体效应  翘曲效应  寄生双极晶体管效应  SOI器件