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上海微系统与信息技... [12]
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OAI收割 [21]
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期刊论文 [14]
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红外探测材料与器件 [2]
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HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 1, 页码: 54-59
作者:
翁彬
;
周松敏
;
王溪
;
陈奕宇
;
李浩
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提交时间:2018/11/20
HgCdTe
激光束诱导电流
I-V测试
B+离子注入
干法刻蚀
ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
期刊论文
OAI收割
半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65
作者:
操神送
;
杜云辰
;
朱龙源
;
兰添翼
;
赵水平
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提交时间:2018/11/20
ICP干法刻蚀
碲镉汞光导材料
刻蚀气压
电学特性
镍-氢电池充放电过程中的化学物理现象及机制
期刊论文
OAI收割
吉首大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 06
杨传铮
;
娄豫皖
;
夏保佳
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
干法刻蚀
应变量子阱
光致发光谱
损伤
相变存储器加热电极与相变材料刻蚀工艺研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009
冯高明
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提交时间:2012/03/06
相变存储器
Ge2Sb2Te5
纳米电极
干法刻蚀
工艺集成
凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 5,2326-2330
作者:
刘果果
;
黄俊
;
魏珂
;
刘新宇
;
和致经
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/05/27
Gan
干法刻蚀
栅漏电 退火
N空位
半导体器件
ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 4,980-983
作者:
张庆钊
;
谢常青
;
刘明
;
李兵
;
朱效立
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/05/27
等离子体
射频偏压
Icp
干法刻蚀
MiWAVE宽带无线应急通信系统在四川抗震救灾中的应用
期刊论文
OAI收割
中国水利, 2008, 期号: 13
卜智勇
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提交时间:2012/01/06
热电堆
红外探测器
干法刻蚀
XeF2气体
干法刻蚀和离子注入影响III-V族半导体量子阱发光特性研究
学位论文
OAI收割
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
曹萌
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浏览/下载:148/0
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提交时间:2012/03/06
干法刻蚀
离子注入
光致发光
气态源分子束外延
量子阱
无线传感器网络中的OPNET仿真模型的研究
期刊论文
OAI收割
计算机工程, 2007, 期号: 04
姜华
;
王沛
;
刘海涛
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
光学材料
应变多量子阱
干法刻蚀
损伤
光致发光
干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2007
曹萌
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2012/03/06
干法刻蚀
离子注入
光致发光
气态源分子束外延
量子阱