机构

• 微电子研究所 [3]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [1]
• 2004 [3]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报, 2017, 期号: 5, 页码: 575-580 作者:  赵真典;  陈路;  傅祥良;  王伟强;  沈川   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/11/20 红外焦平面  碲镉汞  砷掺杂  分子束外延   新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 454-457 作者:  魏珂;  吴德馨;  陈震;  和致经;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 Phemt  双平面掺杂  双选择腐蚀栅槽  击穿电压   双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 836-840 作者:  刘新宇;  陈震;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管（hemt）  电荷控制模型  异质结  二维电子气  双平面掺杂  Eeacc  1350a  2560s   双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  和致经;  刘新宇;  郑英奎;  陈震;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管（phemt）  平面掺杂  线性度