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• 期刊论文 [10]
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• 会议论文 [2]

发表日期

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 纳米硅对冻结黏性砂土强度影响试验研究 期刊论文  OAI收割 冰川冻土, 2017, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 602-608 作者:  胡凯;  陈晓清   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/12/26 冻土  纳米硅  强度  应力-应变曲线  初始切线模量   锂电池的电极失效机制的力学表征及模拟 会议论文  OAI收割 中国力学大会--2013, 中国北京, 2013-08-19 作者:  张敏;  魏悦广 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2014/02/21 锂电池  电极失效机制  内聚力模型  使用寿命  电极材料  体膨胀  硅电极  界面失效  薄膜式  薄膜厚度  界面断裂  薄膜材料  失效模式  平面应变  等效的  界面特征   体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02 薛忠营; 张波; 魏星; 张苗 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/13 外延  应变  锗硅  SGOI   低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 马小波 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/03/06 低温等离子体键合  绝缘体上的硅（SOI）  绝缘体上锗硅（SGOI）  绝 缘体上的锗（GeOI）  应变硅（strained Si）   应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2008, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 6，364-369 作者:  刘海华;  段晓峰;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/27 应变硅  场效应晶体管  有限元方法  大角度会聚束电子衍射   扩频系统中多普勒频偏快速估计算法的性能分析 期刊论文  OAI收割 宇航学报, 2008, 期号: 02 陈晓挺; 刘会杰; 梁旭文 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 高端硅基材料  绝缘体上硅  绝缘体上应变硅  绝缘体上锗   “天链一号01星”对三类卫星中继性能仿真分析 期刊论文  OAI收割 全球定位系统, 2008, 期号: 06 蒋虎 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 高端硅基材料  绝缘体上硅  绝缘体上应变硅  绝缘体上锗   应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2007, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 10,312_321 作者:  徐秋霞;  段晓峰;  刘海华;  刘邦贵   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/26 应变硅  金属氧化物半导体场效应晶体  管  大角度会聚束电子衍射   负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2007, 期号: 08 董丽娟; 江海涛; 杨成全; 石云龙 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 高端硅基材料  绝缘体上硅(SOI)  绝缘体上应变硅(sSOI)  绝缘体上锗(GOI)   具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 283-290 作者:  陈宝钦;  徐秋霞;  钱鹤;  段晓峰;  刘海华   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26 应变硅沟道