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• 上海微系统与信息技术... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 11 孙浩; 齐鸣; 徐安怀; 艾立鹍; 朱福英 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  总剂量辐射  背沟道  掩埋氧化层   用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 07 冯高明; 刘波; 吴良才; 宋志棠; 封松林; 陈宝明 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  总剂量辐射  背沟道  掩埋氧化层   部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系 会议论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2006 俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合   SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 俞文杰; 张正选; 郭天雷 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/18 SOI 总剂量辐射效应 背栅阈值电压 掩埋氧化层 偏置状态