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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
季祥海
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体纳米线
异质结纳米线
自催化生长机制
金属有机化学气相沉积
背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
韩五月
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/09/23
光电探测器
日盲紫外
AlGaN材料
金属有机化学气相沉积
金属-绝缘层-半导体结构
Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/05/31
InAsSb纳米线
生长机制
平面纳米线
纳米线阵列
金属有机化学气相沉积
中国植物化学和现代药物研究的开拓者——赵承嘏先生
期刊论文
OAI收割
中国科学:生命科学, 2016, 卷号: 46, 期号: 02, 页码: 238-248
作者:
徐晓萍
;
石岩森
;
厉骏
;
叶阳
;
蒋华良
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提交时间:2019/01/08
赵承嘏
中国生理学杂志
先生
有机化学家
学部委员
植物化学
植物生物化学
现代药物
中华人民共和国
MOCVD自催化生长InAs纳米线的研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
王小耶
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浏览/下载:103/0
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提交时间:2015/05/27
InAs
InAs/GaSb
纳米线
MOCVD(金属有机化学气相沉积)
自催化
图形衬底
纳米线阵列
立式环栅
异质结纳米线
有机化学进展(2011~2012)
期刊论文
OAI收割
化学通报, 2014, 卷号: 77, 期号: 07, 页码: 586-622
作者:
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/01/08
有机化学
合成方法学
有机合成化学
元素有机化学
天然产物化学
有机化学进展(2011 ~ 2012)
期刊论文
OAI收割
化学通报, 2014, 卷号: 000, 期号: 007, 页码: 586
作者:
黄培强
;
赵刚
;
刘国生
;
岳建民
;
胡金波
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/07/01
有机化学
合成方法学
有机合成化学
元素有机化学
天然产物化学
MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 03, 页码: 294-298
作者:
缪国庆
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/11
自催化法
金属有机化学气相沉积
InP/InGaAs核壳结构
纳米线
衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2011, 期号: 10
作者:
徐科
;
王建峰
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/09/17
光学材料
ZnO薄膜
非极性半导体
LiGaO2
金属有机化学汽相沉积
利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616
作者:
缪国庆
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/11
In0.82Ga0.18As
金属有机化学气相淀积
缓冲层