机构

• 微电子研究所 [2]
• 沈阳自动化研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 深亚微米级VLSI低功耗设计技术研究 学位论文  OAI收割 沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2008 作者:  杨松   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/29 低泄漏功耗  睡眠晶体管  亚阈值泄漏  栅氧化层厚度   45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 745-749 作者:  王宏;  杨松;  杨志家   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/29 栅极泄漏电流  Sram  栅氧化层厚度  静态噪声边界   HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96 卓木金; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/12 界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696   高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453 作者:  林钢;  徐秋霞;  周华杰;  钟兴华   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮氧叠层栅介质  W／tin金属栅  非cmp平坦化   超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，651-655 作者:  钟兴华;  吴峻峰;  杨建军;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮化硅／氮氧化硅复合叠层栅介质  高^  硼穿通  金属栅