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机构
新疆理化技术研究所 [3]
上海微系统与信息技术... [2]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2018 [2]
2011 [1]
2005 [1]
学科主题
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共5条,第1-5条
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空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:
马腾
;
崔江维
;
郑齐文
;
魏莹
;
赵京昊
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流
栅氧经时击穿
可靠性
质子辐照
部分耗尽soi
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:
马腾
;
苏丹丹
;
周航
;
郑齐文
;
崔江维
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2018/10/18
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
Γ射线
镍氢电池的内压特性及其管理系统硬件设计
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2011
毛王君
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/06
超薄栅氧层
可靠性
界面态
导电机制
击穿机制
Electrical Characteristics and Reliability of MOSFET Capacitors with Ultra-thin Oxides
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005
YANJU YU
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/03/06
超薄栅氧层
可靠性
界面态
导电机制
击穿机制