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	高Al组分AlGaN材料及紫外LED研究学位论文 OAI收割硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 张硕收藏 \| 浏览/下载：66/0 \| 提交时间：2017/06/05 AlGaN 紫外LED 晶体质量溅射AlN 侧向外延金属气相化合物沉积
	温度导致GaN生长模式改变的机理会议论文 OAI收割 2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会, 大连, 2015 作者: 蒋志敏; 方海生; 罗显刚; 尧青霞收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2015/12/30 GaN 金属有机物气相外延生长模式表面能
	碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 董林收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2014/06/03 碳化硅外延生长物性表征产业化化学气相沉积
	GaAs微尖上碳纳米管的制备期刊论文 OAI收割发光学报, 2013, 期号: 07, 页码: 841-844 作者: 宋航; 蒋红; 李志明收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2014/03/07 碳纳米管热化学气相沉积 GaAs 选择液相外延
	AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 潘旭收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2012/06/05 AlxGa1-xN三元合金高Al组分紫外探测器金属有机物化学气相外延 Si基GaN
	多晶硅薄膜太阳能电池的研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2011 作者: 高永超 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2012/09/11 多晶硅薄膜 4n纯度的多晶硅衬底快速热化学气相沉积液相外延太阳能电池
	GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究期刊论文 OAI收割光电子.激光, 2011, 期号: 04 王新中; 于广辉; 李世国收藏 \| 浏览/下载：91/0 \| 提交时间：2012/04/13 GaN 阳极Al2O3(AAO) 纳米点阵氢化物气相外延(HVPE)
	纳米尺度图形化衬底的制备及其在HVPE生长GaN中的应用学位论文 OAI收割博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2009 王新中收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2012/03/06 氮化镓　氢化物气相外延　阳极氧化铝　纳米尺寸微区掩膜
	原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响期刊论文 OAI收割半导体学报, 2008, 卷号: 029 作者: Duan Chenghong; Qiu Kai; Li Xinhua; Zhong Fei; Yin Zhijun \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2020/11/25 GaN 原位退火氢化物气相外延