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新疆理化技术研究所 [8]
上海技术物理研究所 [1]
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OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [4]
发表日期
2014 [1]
2013 [2]
2012 [1]
2011 [1]
2009 [2]
2005 [2]
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红外探测材料与器件 [1]
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补偿硅材料深能级(Au、Cu、Mn、Ni、Pt)掺杂制备及热敏特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:
范艳伟
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/08/05
单晶硅
深能级杂质
掺杂
热敏特性
Fe、Cu掺杂及多重掺杂单晶硅材料制备及性能研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者:
周步康
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/06/03
单晶硅
深能级杂质
单掺杂
多重掺杂
电学特性
热敏特性
铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响
期刊论文
OAI收割
电子元件与材料, 2013, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 10-13
作者:
周步康
;
范艳伟
;
陈朝阳
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/11/06
P型硅
N型硅
深能级杂质
Fe
电阻率
补偿度
黑硅的光电特性
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
程正喜
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/09/11
黑硅
平面黑硅
深能级杂质
杂质带
红外吸收特性
金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究
期刊论文
OAI收割
电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 29-32
作者:
张希涛
;
陈朝阳
;
范艳伟
;
丛秀云
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/11/29
NTC热敏电阻
单晶硅
金
铂
深能级杂质
掺杂硅热敏材料的制备及其特性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
董茂进
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2014/10/14
单晶硅
深能级杂质
热敏特性
Ntc
镍
金
电学特性
片式
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39
作者:
董茂进
;
陈朝阳
;
范艳伟
;
丛秀云
;
王军华
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提交时间:2012/11/29
双重掺杂
深能级杂质
Au
Ni
热敏特性
深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1140-1143
作者:
蔡志军
;
巴维真
;
陈朝阳
;
崔志明
;
丛秀云
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提交时间:2012/11/29
深能级杂质
费米能级
多数载流子
补偿度
Zn掺杂n型硅材料的补偿研究
期刊论文
OAI收割
电子元件与材料, 2005, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 24-26
作者:
蔡志军
;
巴维真
;
陈朝阳
;
崔志明
;
丛秀云
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提交时间:2012/11/29
电子技术
深能级杂质
反型
固溶度
亨利定律
电离