中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共25条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  
王保顺
  |  收藏  |  浏览/下载:150/0  |  提交时间:2020/11/19
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究 期刊论文  OAI收割
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:  
王保顺;  崔江维;  郑齐文;  席善学;  魏莹
  |  收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2020/11/17
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  
赵京昊
  |  收藏  |  浏览/下载:125/0  |  提交时间:2019/07/15
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
作者:  
苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2018/03/19
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  
周航
  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2017/09/26
硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2016, 期号: 1, 页码: 63-73
作者:  
周吉;  贺志宏;  于孝军;  杨东来;  董士奎
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2017/09/17
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者:  
周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰
收藏  |  浏览/下载:133/0  |  提交时间:2016/06/02
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  
崔江维
  |  收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2016/05/10
沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353
作者:  
崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/11/29
超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割
第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012
作者:  
余学峰
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2014/11/10