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机构
上海微系统与信息技术... [4]
新疆理化技术研究所 [1]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2007 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
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提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
基于神经网络的自适应动态电源管理模型
期刊论文
OAI收割
华中科技大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 01
姜连祥
;
许培培
;
杨根庆
;
李华旺
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
高压器件
扩展漏端MOS
衬底电流
热载流子注入
基于一种新的小波阈值函数的雷达信号去噪
期刊论文
OAI收割
计算机仿真, 2008, 期号: 08
薛伟
;
关福宏
;
陈良章
;
孙晓玮
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/01/06
原位水汽生长
热载流子注入
经时击穿
纳米相变存储技术研究进展
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 01
宋志棠
;
刘波
;
封松林
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/01/06
衬底电流
双强电场模型
衬底电流公式
热载流子注入
先进集成电路器件可靠性-高压N型器件热载流子效应和先进表征技术
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
戴明志
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2012/03/06
热载流子注入
高压器件双强电场模型
衬底电流公式
退化公式
寿命公式
N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化
期刊论文
OAI收割
电子器件, 2007, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 4,1129_1132
作者:
王晓慧
;
王文博
;
宋李梅
;
杜寰
;
孙贵鹏
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提交时间:2010/05/26
Ldmos
热载流子注入
可靠性