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平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283
作者:
王涛1,2,3
;
王倩1
;
何承发2,3
;
荀明珠2,3
;
买买提热夏提·买买提1
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提交时间:2020/12/15
电离总剂量效应
平衡材料
电流增益
次级电子平衡
InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李慧梅
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提交时间:2016/06/02
InGaAs/InP APD
InGaAs/InAlAs APD
增益
暗电流
击穿电压
扩散Zn掺杂
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
作者:
王帆
;
李豫东
;
郭旗
;
汪波
;
张兴尧
;
郭旗
;
李豫东
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2016/06/02
CMOS图像传感器
转换增益
满阱容量
暗电流
温度
低电压、低功耗助听器电路系统芯片研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
王晓宇
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浏览/下载:369/0
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提交时间:2012/06/02
电流模结构
频率补偿
连续增益
状态空间理论
低电压
低功耗
模拟助听器
窄禁带半导体材料与器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
孙英会
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2012/08/22
Iv-vi族铅盐
变温透射光谱
Hall测量
量子阱激光器
光学增益
Hgcdte
N-on-p结
激光束诱导光电流方法
串音
GEM膜的化学刻蚀与性能测试
期刊论文
OAI收割
核电子学与探测技术, 2009, 期号: 5, 页码: 1214-1217
作者:
钟夏华
;
李玉兰
;
来永芳
;
李金
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提交时间:2015/12/21
GEM
化学刻蚀
漏电流
有效增益
能量分辨率
反应堆中微子实验中的光电倍增管性能研究(英文)
期刊论文
OAI收割
高能物理与核物理, 2007, 期号: 5, 页码: 481-486
作者:
钟玮丽
;
刘金昌
;
杨长根
;
关梦云
;
李祖豪
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/12/15
反应堆中微子实验
光电倍增管
量子效率
线性
增益与暗电流
后脉冲
角度效应
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 446-449
作者:
袁志鹏
;
刘训春
;
孙海峰
;
石瑞英
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas
Hbt晶向效应
直流电流增益
截止频率
压电效应
侧向腐蚀
ISM频段中功率功率放大器
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 626-632
作者:
刘训春
;
白大夫
;
钱永学
;
袁志鹏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/05/26
异质结双极型晶体管
功率放大器
偏置网络
增益压缩
静态偏置电流
InGaAs量子点自发发射及光增益特性
会议论文
OAI收割
中国吉林长春
作者:
宁永强
;
王立军
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/03/19
量子点激光器:7176
自发发射:5191
电流密度:2142
光增益:2055
温度稳定性:1943
微分增益:1800
增益特性:1633
不均匀性:1109
激发态:1098
量子阱材料:781