机构

• 微电子研究所 [3]
• 半导体研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 毕杨 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/05/30 氮化镓  铟铝氮  二维电子气  高电子迁移率晶体管  短沟道效应   新型金属源／漏工程新进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 6，524-529 作者:  尚海平;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 Mosfet  短沟道效应  金属源／漏  金属硅化物 肖特基势垒调节  肖特基势垒源／漏   新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计 期刊论文  OAI收割 红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11 作者:  胡伟达;  陈效双;  全知觉   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/30 器件模拟  数值方法  Mosfet  Finfet  短沟道效应   硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 28-30 作者:  韩郑生;  孙宝刚;  邵红旭;  吴峻峰   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  槽栅mos器件  短沟道效应  热载流子效应   0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真 期刊论文  OAI收割 电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5，20-24 作者:  邹红旭;  韩郑生;  孙宝刚   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi槽栅cmos  短沟道效应  热载流子效应  栅极漏电