机构

• 微电子研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2006 [1]
• 2000 [2]
• 1998 [1]
• 1997 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 340-342 作者:  谢常青;  刘明;  陈宝钦;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 193nm光学光刻  衰减型移相掩模  离轴照明  数值孔径  Prolith   深亚微米光学光刻工艺技术 期刊论文  OAI收割 电子工业专用设备, 2000, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5，8-12 作者:  谢常青   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/25 移相掩模 集成电路 光学光刻 深亚微米   下一代光学掩模制造技术 期刊论文  OAI收割 微电子技术, 2000, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4，1-4 作者:  谢常青   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/05/25 光学光刻  光学邻近效应  移相掩模  光学掩模  制造技术   KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 1998, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 7，94-100 作者:  钱鹤;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/25 移相光刻  深亚微米  Hemt  半导体制造工艺   用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 1997, 期号: 6, 页码: 4，47-50 作者:  钱鹤;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/25 Hemt器件  移相光刻  准分子激光  深亚微米栅