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采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 学位论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
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学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 红外探测材料与器件 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2014, 2014 作者:  齐爱谊   |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2014/06/11 光子晶体  慢光效应  LiNbO3  感应耦合等离子体刻蚀  半导体光放大器  带边模  面发射激光器  光子晶体  慢光效应  Linbo3  感应耦合等离子体刻蚀  半导体光放大器  带边模  面发射激光器   邻苯二酚接枝可降解的两亲性聚合物制备核交联的胶束 会议论文  OAI收割 2011年全国高分子学术论文报告会, 大连, 2011-09-24 吴苏红; 景遐斌; 黄宇彬 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/06/27 嵌段共聚物  纳米粒子  等离子体刻蚀  纳米材料   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究 期刊论文  OAI收割 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 5,1615_1619 作者:  徐向宇;  赵玲利;  段小晋;  尹明会;  王守国   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 常压  射频  等离子体刻蚀  硅   等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理 期刊论文  OAI收割 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 5,1777_1781 作者:  刘新宇;  李诚瞻;  庞磊;  黄俊;  刘键   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子体刻蚀   等离子体刻蚀过程的APC技术研究进展 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2005, 卷号: 30, 期号: 12, 页码: 4，1-4 作者:  刘明;  王巍;  叶甜春;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子体刻蚀  先进过程控制  实时控制  流程与流程控制   采用等效介电常数时域差分法分析二维介质型光子晶体色散特性 期刊论文  OAI收割 上海交通大学学报, 2004, 期号: S1 包秀龙; 李征帆; 孙晓玮 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/01/06 刻蚀光栅  波导镜  电感耦合等离子体刻蚀  绝缘材料上的硅  分波器   适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 4，1222-1225 作者:  牛立华;  魏珂;  刘训春;  曹振亚;  王润梅   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/25 阵列波导光栅（awg） Sio2  感应耦合等离子体刻蚀（icp）   第7届国际等离子体化学会议(ISPC-7) 期刊论文  OAI收割 力学进展, 1986, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 412 朱清文 收藏  |  浏览/下载：1059/87  |  提交时间：2009/08/03 等离子体化学  等离子体喷涂  等离子体技术  等离子体诊断  等离子体刻蚀  高频等离子体  等离子体发生器  热力学性质  荧光光谱