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采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 1999 [1]
• 1996 [1]
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学科主题

• 力学 [1]
• 红外探测材料与器件 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 高频热等离子体制备球形钨粉的研究 会议论文  OAI收割 第十五届全国等离子体科学技术会议, 中国安徽黄山, 2011-08-08 作者:  胡鹏;  胡鹏;  胡鹏 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2013/09/29 球形钨粉:9944  热等离子体:847  高频等离子体:346  费氏粒度:296  松装比重:277  等离子体工艺:175  球形镍粉:167  蓝色氧化钨:130  仲钨酸铵:125  球化率:111  多孔钨:31  球形度:25  正态分布:24  冶金工艺:22  钴粉:19  工艺条件:18  工艺制备:18  平均粒径:16  热喷涂:15  BET:15   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 4，214-216,220 作者:  张育胜   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01 硅深槽刻蚀  电感耦合等离子体bosch工艺  化学平衡   微波低温等离子体裂解天然气制乙炔装置与工艺研究 期刊论文  OAI收割 中国基础科学, 2006, 期号: 1, 页码: 13-14 杨永进 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/04/12 电弧等离子体:5721  电极寿命:3445  工艺研究:3403  能耗:3139  微波低温等离子体:2967  天然气:2714  能量利用率:2527  使用寿命:2319  乙炔装置:2066  重要组成部分:1320   高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 5，236-239,244 作者:  王巍;  叶甜春;  陈大鹏;  刘明;  李兵   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子体  刻蚀工艺  终点检测  Oes  Iep   等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 马小波; 詹达; 刘卫丽; 宋志棠; 沈勤我; 林梓鑫 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/18 等离子体键合 低温SOI工艺 硼氢离子共注   我国等离子体工艺研究进展 期刊论文  OAI收割 物理, 1999, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 388 作者:  吴承康 收藏  |  浏览/下载：2062/180  |  提交时间：2007/06/15 等离子体工艺  热等离子体  非平衡等离子体   等离子体法制备超微活性钙 会议论文  OAI收割 钙剂的基础研究及临床应用——’96全国第一届钙剂研讨会, 中国山西太原, 1996-8-1 作者:  范支鹏 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/02/14 等离子体法  活性钙  超微  0  骨量峰值  等离子法  生物利用度  食品卫生监督  天然矿物  大学分校  0  粉体  钙吸收率  极高的  钙剂  工艺限制  骨质疏松  0  市售  大鼠  学龄前儿童  工艺产品  动物试验   苏联低温等离子体主要研究单位一览 期刊论文  OAI收割 力学进展, 1985, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 269-270 作者:  唐福林 收藏  |  浏览/下载：3703/1974  |  提交时间：2009/08/03 低温等离子体  等离子体技术  苏联科学院  矿物燃料资源  应用研究  工艺过程  西伯利亚  机械加工  力学问题研究