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SiO2光学薄膜的吸收边特性
期刊论文
OAI收割
光电工程, 2019, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 11-17
作者:
孔明东[1,2]
;
李斌成[3]
;
郭春[1]
;
柳存定[1]
;
何文彦[1]
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提交时间:2021/05/06
SIO2薄膜
带隙宽度
带尾能量
氧空位缺陷
发动机油底壳涂胶控制与在线质量检测系统的研究
学位论文
OAI收割
工学硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
严长国
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提交时间:2016/06/20
缺陷定位
宽度测量
运动规划
视觉检测
机器人
自动涂胶
北京脉冲低能正电子束流装置研究
期刊论文
OAI收割
中国原子能科学研究院年报, 2007, 期号: 0, 页码: 234
作者:
马雁云
;
王宝义
;
于润升
收藏
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提交时间:2015/12/25
低能正电子束:6451
慢正电子束流:4461
聚束器:2848
脉冲宽度:2587
材料表面:2342
不同深度:2306
研究缺陷:1965
斩波器:1801
装置:1741
连续可调:1648
KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应
期刊论文
OAI收割
物理, 2004, 卷号: 033
作者:
刘长松
;
Kioussis Nicholas
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/11/23
氢缺陷
磷酸二氢钾
非线性光学
KDP
缺陷反应
晶体材料
带隙宽度
几何弯结与点缺陷的弹性交互作用位场
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1992, 期号: 12, 页码: 1980-1986
孙宗琦
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/04/12
弯结:8818
弹性交互作用能:3230
位场:2316
与点:1571
螺型位错:999
位错段:974
混合位错:828
点缺陷:752
折线:669
位错宽度:564
化合物半导体及其应用
期刊论文
OAI收割
功能材料, 1988, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 34-39
李春鸿
收藏
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提交时间:2012/06/13
场效应管
禁带宽度
液封直拉法
红色发光二极管
晶体生长
电子迁移率
制备方法
位错缺陷
大规模集成电路
化合物半导体材料
空位型缺陷对正电子的局域及其与缺陷宽度的依赖特性
期刊论文
OAI收割
核技术, 1985, 期号: 8, 页码: 6
谌季强,汪克林,龙期威
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提交时间:2012/04/12
空位型缺陷
正电子捕获势阱
缺陷宽度
正电子波函数