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采集方式

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内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [2]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割 第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012 作者:  余学峰 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 SOI  超深亚微米  寄生双极效应  背栅晶体管  沟道长度  热载流子效应   PD;SOI;MOSFET低频噪声研究进展 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 6，817-822 作者:  范雪梅;  毕津顺;  刘梦新;  杜寰   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 Pd  Soi  Mosfet  低频噪声  浮体效应  前背栅耦合效应   SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152 作者:  毕津顺;  宋李梅;  海潮和;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 横向双扩散功率晶体管 背栅效应   PDSOInMOSFETs关态击穿特性 期刊论文  OAI收割 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 5,14_18 作者:  毕津顺;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 部分耗尽绝缘体上硅  击穿  背栅沟道注入   SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 俞文杰; 张正选; 郭天雷 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/18 SOI 总剂量辐射效应 背栅阈值电压 掩埋氧化层 偏置状态   高量程加速度计的力学性能分析 期刊论文  OAI收割 机械强度, 2002, 期号: 04 王钻开; 宗登刚; 陆德仁 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 埋氧层  绝缘体上硅  总剂量辐射效应  模型  背栅   用短周期风洞进行涡轮叶片传热实验的初探 期刊论文  OAI收割 航空动力学报, 1987, 卷号: 2, 期号: 1, 页码: 18-22,89 作者:  王吉南;  李静美 收藏  |  浏览/下载：1213/82  |  提交时间：2009/08/03 短周期风洞  传热实验  涡轮叶片  热流率分布  叶片表面  马赫数  叶背  叶栅风洞  半无限体