机构

• 微电子研究所 [5]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2005 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [2]
• 1993 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 5，93-96,99 作者:  王志玮;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 双栅mosfet  自对准  亚微米工艺  假栅   亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究 期刊论文  OAI收割 电子与封装, 2005, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 5，29-33 作者:  张志勇;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/26 亚微米工艺  自对准技术  双层多晶硅  双极晶体管  原位掺杂   减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 991-994 作者:  罗明雄;  汪宁;  袁志鹏;  刘训春;  孙海峰   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准工艺  减小发射极宽度  提高ingap／gaas  Hbt的性能   自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 5，406-410 作者:  王延;  孙海峰   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/25 自对准工艺   高性能42nm栅长CMOS器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: B05, 页码: 8，153-160 作者:  陈宝钦;  蒋浩杰;  吴德馨;  赵玉印;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/25 42nm栅长  Cmos器件  超陡倒掺杂  灰化工艺  高选择比  高各向异性  Co／ti自对准硅化物   超大规模集成电路CoSi2自对准工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1993 黄焕章 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/06 超大规模集成电路  自对准工艺