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OAI收割 [16]
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发表日期
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2017 [2]
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反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄文军
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提交时间:2018/05/28
Inas/gasb二类超晶格
反转型量子阱结构
电子迁移率
异质结光电晶体管
双色
铁电极化涡旋结构在超晶格中的演化
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2018, 卷号: 37.0, 期号: 004, 页码: 310-314
作者:
李爽
;
朱银莲
;
唐云龙
;
张思瑞
;
马金元
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2021/02/02
铁电超晶格
涡旋结构
透射电子显微镜
失配应变
电极
11-巯基十一烷酸包裹的金纳米颗粒薄膜的二次电子发射
期刊论文
OAI收割
核技术, 2017, 期号: 6, 页码: "5-12"
作者:
程振东
;
季庚午
;
王菲
;
张晓楠
;
杨迎国
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2018/08/17
11-巯基十一烷酸包裹的金纳米颗粒
超晶格结构
光电发射
有机配体包裹金纳米颗粒薄膜制备及其表征
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院(上海应用物理研究所), 2017
作者:
程振东
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2017/12/08
十一巯基十一烷酸包裹的金纳米颗粒
超晶格结构
光电发射
HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院大学, 中国科学院大学, 2014, 2014
作者:
庞蜜
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2014/05/28
HgTe/CdTe 量子阱
InAs/GaSb超晶格
InAs/GaSb耦合量子阱
二维拓扑绝缘体
窄禁带半导体
电子态结构
磁光吸收谱
Hgte/cdte 量子阱
Inas/gasb超晶格
Inas/gasb耦合量子阱
二维拓扑绝缘体
窄禁带半导体
电子态结构
磁光吸收谱
铜锡合金中金属间化合物的电子显微学研究
学位论文
OAI收割
硕士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008
桑夏晗
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提交时间:2012/04/10
CuSn
显微结构
超晶格结构
透射电子显微镜
最大熵重构
介电超晶格结构极化设备的研究
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 764, 769
贾宝申
;
张学锋
;
申岩
;
孟凡伟
;
赵业权
;
刘德安
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提交时间:2009/09/18
介电超晶格结构
极化设备
高性能计数器
电源
Bl-AlN/TiN(001)界面结构与电子特性
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2005, 期号: 4, 页码: 349
陈东,马秀良
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/04/12
AlN:6254
TiN:5397
界面结构:3620
电子特性:2904
超晶格:2200
高分辨像:1544
投影态密度:903
第一原理:870
赝势方法:857
平面波:814
宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展
期刊论文
OAI收割
光机电信息, 2000, 期号: 04, 页码: 6-9
范希武
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/03/11
光双稳器件:4774
半导体超晶格:4369
光学性能:3780
结构材料:3412
自由激子:2730
激子发射:2670
半导体激光器:2150
受激发射:2099
电场激发:2079
宽带:2055
金纳米粒子的组装和超晶格结构
学位论文
OAI收割
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 2000
李薇
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浏览/下载:126/0
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提交时间:2011/01/17
分子组装技术
金纳米粒子
超晶格结构
表面增强拉曼效应