机构

• 新疆理化技术研究所 [3]
• 微电子研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2012 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/02 总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器   星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  崔江维   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/05/10 超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用   超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割 第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012 作者:  余学峰 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 SOI  超深亚微米  寄生双极效应  背栅晶体管  沟道长度  热载流子效应   0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 4，532-535 作者:  张晓菊;  孙宝刚;  郝跃;  任红霞;  马晓华   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 槽栅结构  Cmos  超深亚微米   自对准硅化物工艺研究 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 631-635,639 作者:  万春明;  王大海;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/05/26 超深亚微米  Cmos器件  自对准硅化物  纳米器件  Ni自对准硅化物