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稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
InGaAs单结太阳电池辐射效应机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
慎小宝
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/07/15
In0.53Ga0.47As单结太阳电池
高注量电子
低能质子
位移损伤
退火效应
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
-
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/06/02
4H-SiC
场效应晶体管
NO退火
UMOSFET
欧姆接触
槽角圆弧化
米勒电容
氧化锌薄膜的准分子激光退火热效应模拟分析
期刊论文
OAI收割
激光与光电子学进展, 2017, 卷号: 54
作者:
邵景珍
;
王玺
;
胡红涛
;
方晓东
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/25
激光技术
薄膜
准分子激光退火
有限元分析
热效应
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
作者:
刘默寒
;
陆妩
;
马武英
;
王信
;
郭旗
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
偏置条件
退火
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
作者:
姜柯
;
陆妩
;
胡天乐
;
王信
;
郭旗
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/09/09
NPN输入双极运算放大器
电子辐射
辐射效应
退火
PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
作者:
高博
;
刘刚
;
王立新
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/06/14
PMOSFET
退火效应
低剂量率辐射损伤增强效应
镍钛形状记忆合金薄膜在基底约束下的马氏体相变行为及尺度效应
会议论文
OAI收割
中国力学大会——2013, 中国北京, 2013-08-19
作者:
王曦
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2014/04/02
马氏体相变
镍钛
尺度效应
薄膜材料
薄膜厚度
合金薄膜
基底
薄膜应力
约束
相转变温度
多晶薄膜
选择退火
热膨胀系数
相关关系
残余应力
影响规律
不匹配
变化曲线
晶粒取向
尺寸
双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2013, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 399-404
作者:
邓伟
;
陆妩
;
吴雪
;
郭旗
;
何承发
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/11/06
双极线性稳压器
60coγ辐射效应
低剂量率损伤增强效应
室温退火
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应