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电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文  OAI收割
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者:  
姬庆刚;  刘杰;  李东青;  刘天奇;  叶兵
  |  收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2019/11/18
辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:  
罗捷
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2018/12/28
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:  
郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2016/06/02
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:  
郑齐文
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2015/06/15
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文  OAI收割
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:  
刘丽
收藏  |  浏览/下载:230/0  |  提交时间:2015/09/02
基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估 期刊论文  OAI收割
北京航空航天大学学报, 2015, 卷号: 41, 期号: 4, 页码: 609-615
作者:  
余永涛;  韩建伟;  封国强;  蔡明辉
收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2015/09/28
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392
作者:  
肖尧;  郭红霞;  张凤祁;  赵雯;  王燕萍
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2014/11/11
总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者:  
郑齐文;  余学峰;  崔江维;  郭旗;  任迪远
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2013/11/06
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:  
卢健;  余学峰;  郑齐文;  崔江维;  胥佳灵
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2013/11/06