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电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响
期刊论文
OAI收割
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者:
姬庆刚
;
刘杰
;
李东青
;
刘天奇
;
叶兵
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/11/18
单粒子翻转
总剂量效应
协同效应
静态随机存储器
辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者:
罗捷
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/12/28
单粒子效应
注量率
微通道板
离子注量探测器
静态随机存储器
超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
王汉宁
;
周航
;
余徳昭
;
魏莹
;
苏丹丹
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/06/02
总剂量辐射效应
超深亚微米
金属氧化物半导体场效应晶体管
静态随机存储器
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
郑齐文
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/06/15
大规模集成电路
总剂量辐射
静态随机存储器
损伤机制
试验方法
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
OAI收割
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
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浏览/下载:230/0
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提交时间:2015/09/02
绝缘体上硅
KFZ加固
单粒子翻转
静态随机存储器
silcon-on-insulator(SOI)
radiation hardness
sigle event upset(SEU)
static random access memory(SRAM)
基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估
期刊论文
OAI收割
北京航空航天大学学报, 2015, 卷号: 41, 期号: 4, 页码: 609-615
作者:
余永涛
;
韩建伟
;
封国强
;
蔡明辉
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2015/09/28
SEL事件率
敏感区定位
敏感体积单元
质子直接电离
静态随机存储器
脉冲激光
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392
作者:
肖尧
;
郭红霞
;
张凤祁
;
赵雯
;
王燕萍
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/11/11
累积剂量
单粒子效应
静态随机存储器
反印记效应
总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者:
郑齐文
;
余学峰
;
崔江维
;
郭旗
;
任迪远
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/11/06
静态随机存储器
功能失效
测试图形
数据保存错误
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:
卢健
;
余学峰
;
郑齐文
;
崔江维
;
胥佳灵
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/11/06
静态随机存储器
总剂量效应
阈值电压