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浏览/检索结果: 共65条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain effects on the behavior of intrinsic point defects within the GaN/AlN interface 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS C, 2022 作者:  Yang, Yuming;  Zhang, Xuemei;  Liu, Jun;  Zhang, Chuanguo;  Li, Yonggang   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2022/12/23 GaN  AlN interface  strain effects  intrinsic point defects  first-principles calculations  diffusion barrier   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Strain modulated nanostructure patterned AlGaN-based deep ultraviolet multiple-quantum-wells for polarization control and light extraction efficiency enhancement 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 43 作者:  Xu, Houqiang;  Long, Hanling;  Jiang, Jie'an;  Sheikhi, Moheb;  Li, Liang   |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2019/12/18 III-NITRIDE BLUE  EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  ALN  SURFACE  BUFFER  MQWS  LEDS  GAN   Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides 期刊论文  OAI收割 Science China-Technological Sciences, 2019, 卷号: 63, 期号: 3, 页码: 528-530 作者:  Y.Chen;  Y.P.Jia;  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  D.B.Li   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/08/24 gan,layer,aln,Engineering,Materials Science   Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch 期刊论文  OAI收割 Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9 作者:  H.P.Hu;  S.J.Zhou;  H.Wan;  X.T.Liu;  N.Li   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/08/24 light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics   Tuning photonic crystal fabrication by nanosphere lithography and surface treatment of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 MATERIALS & DESIGN, 2018, 卷号: 160, 页码: 661-670 作者:  Chee, Kuan W. A.;  Guo, Wei;  Wang, John R.;  Wang, Yong;  Chen, Yue-e   |  收藏  |  浏览/下载：160/0  |  提交时间：2019/12/18 EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY  THIN-FILM  EXTRACTION EFFICIENCY  SPONTANEOUS EMISSION  ENHANCEMENT  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  WELLS  BLUE  ALN   宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘雅丽 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2016/06/03 AlGaN/AlGaN 量子阱  GaN/AlN量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化   新型衬底氮化物LED外延及发光机制的研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015 作者:  安平博   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/02 非晶玻璃衬底  GaN  AlN  石墨烯  选区生长  溅射  生长机制  非晶玻璃衬底  Gan  Aln  石墨烯  选区生长  溅射  生长机制   硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 冯玉霞 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/06/02 Si衬底  AlN  GaN  生长机制  应力