机构

• 物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  OPTICAL-PROPERTIES  RAMAN-SCATTERING  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  STRAIN  ALN  FILMS  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE   Influence of threading dislocations on the near-bandedge photoluminescence of wurtzite GaN thin films on SiC substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1316 Qiu, XG; Segawa, Y; Xue, QK; Xue, QZ; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALN BUFFER LAYERS  SURFACE  EPITAXY  MORPHOLOGY  DEFECTS  YELLOW   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY