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• 物理研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [2]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Formation of interfacial layers in LaAlO3/silicon during film deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 467 Xiang, WF; Lu, HB; Yan, L; He, M; Zhou, YL; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/17 AMORPHOUS LAALO3  THIN-FILMS  OXIDATION  SILICON  SI(100)   Oxygen pressure dependence of physical and electrical properties of LaAlO3 gate dielectric 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2005, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 399 Lu, XB; Lu, HB; Dai, JY; Chen, ZH; He, M; Yang, GZ; Chan, HLW; Choy, CL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THERMAL-STABILITY  AMORPHOUS LAALO3  FILMS  DEPOSITION  SILICON  SI(100)  SRTIO3   N-doped LaAlO3/Si(100) films with high-k, low-leakage current and good thermal stability 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 182 Xiang, WF; Lu, HB; Chen, ZH; He, M; Lu, XB; Liu, LF; Guo, HZ; Zhou, YL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/24 RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  THIN-FILMS  AMORPHOUS LAALO3  DEPOSITION  SI(100)  TIN   Thermal stability of LaAlO3/Si deposited by laser molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 84, 期号: 14, 页码: 2620 Lu, XB; Zhang, X; Huang, R; Lu, HB; Chen, ZH; Xiang, WF; He, M; Cheng, BL; Zhou, HW; Wang, XP; Wang, CZ; Nguyen, BY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 THIN-FILMS  GATE DIELECTRICS  AMORPHOUS LAALO3  SILICON  SI(100)  SI