机构

• 半导体研究所 [4]
• 过程工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2019 [1]
• 2000 [4]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Arsenic removal from alkaline leaching solution using Fe (III) precipitation 期刊论文  OAI收割 ENVIRONMENTAL TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 40, 期号: 13, 页码: 1714-1720 作者:  Wang, Yongliang;  Lv, Cuicui;  Xiao, Li;  Fu, Guoyan;  Liu, Ya   |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/06/14 Arsenic precipitates  ferric arsenate  Fe  As ratio  leaching toxicity   Formation of inas quantum dots on low-temperature gaas epi-layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Wang, H;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Low-temperature gaas  As precipitates  Annealing  Tem  Pl   Study of self-assembled inas quantum dots grown on low temperature gaas epi-layer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180 作者:  Wang, XD;  Wang, H;  Wang, HL;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Low temperature gaas  As precipitates   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Study of self-assembled InAs quantum dots grown on low temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 177-180 Wang XD; Wang H; Wang HL; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  low temperature GaAs  As precipitates  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DEPENDENCE