机构

• 物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2001 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509 Sheng, SR; Liao, XB; Kong, GL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123 Sheng, SR; Liao, XB; Ma, ZX; Yue, GZ; Wang, YQ; Kong, GL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文  OAI收割 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：116/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION