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合肥物质科学研究院 [2]
金属研究所 [1]
宁波材料技术与工程研... [1]
近代物理研究所 [1]
兰州化学物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2017 [1]
2010 [1]
2002 [2]
1999 [1]
1992 [1]
学科主题
材料科学与物理化学 [1]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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碳化硅衬底沉积高取向金刚石薄膜
期刊论文
OAI收割
硬质合金, 2017, 卷号: 34, 期号: 06, 页码: 407-412
作者:
吕继磊
;
满卫东
;
曹阳
;
江南
;
刘伟
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2018/12/04
Dc-cvd
碳化硅
沉积参数
高取向
金刚石薄膜
掺硅类金刚石薄膜的制备与表征
期刊论文
OAI收割
中国表面工程, 2010, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 41227
作者:
周惠娣
;
陈建敏
;
李红轩
;
吉利
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/09/28
R.F.PE CVD
掺硅类金刚石薄膜
水环境
结合强度
摩擦因数
Si-doped DLC
water environment
adhesion strength
friction coefficient
金刚石薄膜异质外延的研究状况与展望
期刊论文
OAI收割
材料导报, 2002, 卷号: 016
作者:
王传新
;
汪建华
;
马志斌
;
满卫东
;
王升高
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/10/26
CVD
半导体
化学气相沉积
外延生长
金刚石薄膜
异质外延
金刚石薄膜异质外延的研究进展
期刊论文
OAI收割
真空与低温, 2002, 卷号: 008
作者:
王传新
;
汪建华
;
满卫东
;
马志斌
;
王生高
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/11/23
金刚石薄膜
异质外延
CVD
半导体材料
偏压形核
生长控制
外延生长
氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究
期刊论文
OAI收割
功能材料, 1999, 期号: 04
邵乐喜
;
谢二庆
;
路永刚
;
贺德衍
;
陈光华
;
王志光
;
金远范
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2011/09/23
场电子发射
Cvd金刚石薄膜
离子注入
氮化硅及Sialon陶瓷基材上金刚石膜的沉积
期刊论文
OAI收割
材料科学进展, 1992, 期号: 1, 页码: 56-59
陈岩,黄荣芳,闻立时,师昌绪
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提交时间:2012/04/12
热丝CVD
金刚石薄膜
热膨胀系数