机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [1]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Synthesis and Characterization of Nanocrystalline GaN by Ammonothermal Method Using CsNH2 as Mineralizer 期刊论文  OAI收割 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 5741-5745 W. W. Lin, J. Huang, D. G. Chen, Z. Lin, W. Li, J. K. Huang and F. Huang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/02 Ammonothermal  GaN  Mineralizer  Nanocrystals  CsNH2  gallium nitride  doped gan  crystal-growth  quantum dots  temperature  route  (ga(nh)(3/2))(n)  ferromagnetism  nanoparticles  conversion   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：61/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Effects of ZnO interlayers on thick GaN/Si film prepared by RF magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 258 Zhang, CG; Blan, LF; Chen, WD; Hsu, CC 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYER  DOPED GALLIUM NITRIDE  INFRARED ELECTROLUMINESCENCE  SI(111) SUBSTRATE  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  ER  EU   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Luminescence study of (11(2)over-bar0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 316-319 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 MG-DOPED GAN  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  SUBSTRATE  LAYER   Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY