机构

• 半导体研究所 [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2019 [1]
• 2009 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 150 KeV proton irradiation effects on photoluminescence of GaInAsN bulk and quantum well structures 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 1-6 作者:  Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, A.)[ 2,3 ];  Sailai, M (Sailai, M.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 2,4 ];  Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/10 Dilute nitride  InGaAsN  Proton irradiation  Degradation  PL spectra   Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A 收藏  |  浏览/下载：186/35  |  提交时间：2010/03/08 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  InGaAs  GaInNAs