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Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
P. F. Yan
;
K. Du
;
M. L. Sui
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浏览/下载:96/0
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提交时间:2013/02/05
quantum-well structures
light-emitting-diodes
deformation mechanisms
metallic multilayers
thin-films
misfit dislocations
ingan epilayers
composites
interfaces
gan
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/02/02
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
AlGaN epilayers
Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on Light Output Power of GaN-Based LEDs
期刊论文
OAI收割
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 卷号: 23, 期号: 14, 页码: 944-946
作者:
Liu, JP (刘建平)
;
Fan, YY (范亚明)
;
Yang, H (杨辉)
;
Kong, JJ (孔俊杰)
;
Wang, HB (王怀兵)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/08/24
EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY
EMITTING-DIODES
ENHANCEMENT
EPILAYERS
BLUE
High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2011, 卷号: 19, 期号: 14, 页码: A949-A955
作者:
Kong, JJ (孔俊杰)
;
Wang, HB (王怀兵)
;
Yang, H (杨辉)
;
Liu, JP (刘建平)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/08/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN
ENHANCEMENT
PERFORMANCE
EPILAYERS
SURFACE
Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlOx/CoFeB magnetic tunnel junctions
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 26
作者:
Xu, K (徐科)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/08/24
TEMPERATURE
GA1-XMNXAS
TRANSPORT
EPILAYERS
(GA
MN)AS
FILMS
Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 22
作者:
Fan, YM (樊英民)
;
Yang, H (杨辉)
;
Huang, J (黄俊)
;
Gong, XJ (弓晓晶)
;
Xu, K (徐科)
收藏
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浏览/下载:132/0
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提交时间:2012/08/24
BERKOVICH NANOINDENTATION
THIN-FILMS
INDENTATION
MECHANISMS
EPILAYERS
Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlOx/CoFeB magnetic tunnel junctions
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 26
Yu, GQ
;
Chen, L
;
Rizwan, S
;
Zhao, JH
;
Xu, K
;
Han, XF
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/09/17
TEMPERATURE
GA1-XMNXAS
TRANSPORT
EPILAYERS
(GA
FILMS
MN)AS
Spatiotemporal dynamics of photogenerated carriers in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 1
Hu, CC
;
Ye, HQ
;
Wang, G
;
Liu, BL
收藏
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提交时间:2013/09/24
DIFFUSION-COEFFICIENT
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