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半导体研究所 [6]
上海微系统与信息技术... [2]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2007 [1]
2005 [3]
2002 [1]
2000 [3]
1992 [1]
学科主题
Physics, C... [2]
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半导体物理 [1]
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Effects of barrier growth temperature ramp-up time on the photoluminescence of InGaN/GaN quantum wells
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 卷号: 101, 期号: 3
Wang, Y
;
Pei, XJ
;
Xing, ZG
;
Guo, LW
;
Jia, HQ
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/09/17
LIGHT-EMITTING-DIODES
STRUCTURE LASER-DIODES
EXCITON LOCALIZATION
ROOM-TEMPERATURE
LAYER
DOTS
GAN
EMISSION
SHIFT
HETEROSTRUCTURES
Time-resolved photoluminescence of te isoelectronic center in zns
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2272-2276
作者:
Yang, XD
;
Xu, ZY
;
Luo, XD
;
Fang, ZL
;
Li, GH
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Zns
Isoelectronic center
Time-resolved photoluminescence
Exciton localization
Optical response in a quantum dot superlattice nanoring under a lateral electric field
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 72, 期号: 16, 页码: 165310-165310
Zhang, TY
;
Zhao, W
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2011/12/02
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
NUMERICAL-CALCULATION
FRANZ-KELDYSH
ABSORPTION
EXCITON
LOCALIZATION
NANOWIRES
GROWTH
RINGS
Optical response in a quantum dot superlattice nanoring under a lateral electric field
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 72, 期号: 16, 页码: 165310-165310
Zhang, TY
;
Zhao, W
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/12/17
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
NUMERICAL-CALCULATION
FRANZ-KELDYSH
ABSORPTION
EXCITON
LOCALIZATION
NANOWIRES
GROWTH
RINGS
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
收藏
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
Steady and transient optical properties of cubic ingan epilayers
期刊论文
iSwitch采集
Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 11-14
作者:
Xu, ZY
;
Liu, BL
;
Li, SF
;
Yang, H
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
Exciton localization
Time-resolved photoluminescence
Steady and transient optical properties of cubic InGaN epilayers
期刊论文
OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 11-14
Xu ZY
;
Liu BL
;
Li SF
;
Yang H
;
Ge WK
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/08/12
InGaN
exciton localization
time-resolved photoluminescence
GAN
Photoluminescence study of multilayer In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dot at various temperature
期刊论文
OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 19-23
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot
photoluminescence
wetting layer
EXCITON LOCALIZATION
WELLS
TEMPERATURE MODULATED PHOTOLUMINESCENCE IN SEMICONDUCTOR QUANTUM-WELLS
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 1992, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 393-396
XU ZY
;
GAL M
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提交时间:2010/11/15
EXCITON LOCALIZATION
INTERFACE DEFECTS
LUMINESCENCE