机构

• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2002 [2]
• 2000 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 TEM observation of the phase transition in indented GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2002, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 200-204 Z. C. Li; L. Liu; X. Wu; L. L. He; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/04/14 GaAs single crystal  Vickers indentation  phase transition  high-pressure  silicon  indentation  hardness  microindentation  crystals   Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T 收藏  |  浏览/下载：87/4  |  提交时间：2010/08/12 purification  X-ray diffraction  melt epitaxy  narrow gap materials  semiconducting III-V materials  CUTOFF WAVELENGTH  SINGLE-CRYSTALS  MU-M  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 12, 页码: 8516-8521 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  LOW-TEMPERATURE GAAS  DOPED GAAS  LAYERS  CARBON  DIFFRACTOMETER  GROWTH  SI