机构

• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2002 [2]
• 2000 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 TEM observation of the phase transition in indented GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2002, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 200-204 Z. C. Li; L. Liu; X. Wu; L. L. He; Y. B. Xu 收藏  |   Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T 收藏  |   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |   Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 12, 页码: 8516-8521 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |