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期刊论文 [3]
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发表日期
2014 [1]
2011 [2]
2008 [1]
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Chemistry;... [1]
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Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays
期刊论文
OAI收割
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
B. D. Liu
;
F. Yuan
;
B. Dierre
;
T. Sekiguchi
;
S. Zhang
;
Y. K. Xu
;
X. Jiang
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/01/14
GaN
nanowire arrays
epitaxial growth
interface
yellow-band emission
vapor-phase epitaxy
gallium nitride
spatial-distribution
luminescence
carbon
cathodoluminescence
microstructure
nanodevices
fabrication
mechanism
Theoretical Study about the formation of the stacking faults in GaN nanowires along different growth directions
会议论文
OAI收割
International Conference on Computational Materials Science, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, APR 17-18, 2011
作者:
Zhang, JP (张锦平)
;
Yang, H (杨辉)
;
Xu, K (徐科)
;
Gong, XJ (弓晓晶)
;
Gong, XJ (弓晓晶)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/08/24
Gallium nitride nanowire
stacking faults
molecular dynamics simulations
Tuning Surface Wettability of In(x)Ga((1-x))N Nanotip Arrays by Phosphonic Acid Modification and Photoillumination
期刊论文
OAI收割
Langmuir, 2011, 卷号: 27, 期号: 21, 页码: 13220-13225
作者:
Su RG(苏瑞巩)
;
Liu HB
;
Kong T
;
Song Q
;
Li N(李宁)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/01
Self-Assembled Monolayers
Nanowire Arrays
Gallium Nitride
Thin-Films
Tio2
Gan
Water
Zno
Irradiation
Conversion
Rectifying behavior of individual SnO2 nanowire by different metal electrode contacts
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 5-6, 页码: 1379
Chen, MM
;
Xia, XX
;
Wang, ZL
;
Li, YL
;
Li, JJ
;
Gu, CZ
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2013/09/24
GALLIUM NITRIDE NANOWIRE
TIN OXIDE NANOWIRES
SENSING PROPERTIES