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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width 期刊论文  OAI收割 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946 Zhang, YG(张永刚）; Li, C; Gu, Y; Wang, K; Li, HSBY; Shao, XM; Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 GAS-SOURCE MBE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321 Zhang, YG(张永刚）; Gu, Y; Tian, ZB; Li, AZ; Zhu, XR; Zheng, YL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  GAS-SOURCE MBE  DARK CURRENT  PHOTODETECTORS  DETECTORS  MOCVD   GSMBE growth and characterizations of AlInP/InGaAsP strain-compensated multiple-layer heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 255-262 Huang, ZC; Wu, HZ; Lao, YF; Cao, M; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  GAS-SOURCE MBE  MISFIT DISLOCATIONS  LASERS  INP  DEFECTS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS