机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2006 [2]
• 2004 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [2]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Instrument... [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 patterned substrate  GaAs  molecular beam epitaxy  nucleation positions  ASSEMBLED QUANTUM DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GE ISLANDS  GROWTH  SURFACE  ARRAYS   Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 BEAM EPITAXIAL-GROWTH  QUANTUM DOTS  RADIATIVE RECOMBINATION  PATTERNED GAAS  SURFACE  STATES  GE   Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899-5901 M. Zhang; X. L. Ma; D. X. Li; H. B. Lu; Z. H. Chen; G. Z. Yang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/14 quantum dots  thin-films  growth  nanocrystals  islands  epitaxy  gaas  ge   Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899 Zhang, M; Ma, XL; Li, DX; Lu, HB; Chen, ZH; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 QUANTUM DOTS  THIN-FILMS  GROWTH  NANOCRYSTALS  ISLANDS  EPITAXY  GAAS  GE   Influences of Si spacer layers on the structures of Ge/Si quantum dot bilayers 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2003, 卷号: 200, 页码: 40-45 作者:  Jiang XM(姜晓明);  Jiang, X;  Metzger, TH;  Sztucki, M;  Jiang, Z 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/06/27 Ge quantum dots  microstructure  X-ray diffraction   Raman scattering of Ge/Si dot superlattices under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2001, 卷号: 64, 期号: 7 Qin, L; Teo, KL; Shen, ZX; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/24 GE QUANTUM DOTS  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  OPTICAL-PROPERTIES  SIGE ISLANDS  SI(001)  PHOTOLUMINESCENCE  MICROSCOPY  CLUSTERS  CONFINEMENT  OVERGROWTH   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：122/9  |  提交时间：2010/08/12 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  QUANTUM DOTS   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION