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内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2014 [1]
• 2009 [2]
• 2004 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs film for photon-enhanced thermionic emission solar harvesters 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2014, 卷号: 25, 页码: 143-147 作者:  Tang, Weidong;  Yang, Wenzheng;  Yang, Yang;  Sun, Chuandong;  Cai, Zhipeng 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2014/09/17 PETE  GaAs film  Thermionic emission  Electric field emission   First-principles studies of the atomic reconstructions of CdSe (001) and (111) surfaces 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2009, 卷号: 21, 期号: 9 L. Zhu; K. L. Yao; Z. L. Liu; Y. B. Li 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 ab-initio calculations  ii-vi-compounds  electronic-structure  wurtzite  cdse  gaas(100) surfaces  cleavage faces  thin-film  nanocrystals  cdte  dependence   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Oscillations in oblique-incidence optical reflection from a growth surface during layer-by-layer epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 23 Fei, YY; Zhu, XD; Liu, LF; Lu, HB; Chen, ZH; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  NB-DOPED SRTIO3  ELECTRONIC-STRUCTURE  FILM GROWTH  GAAS  MBE  DIFFERENCE  SPECTROSCOPY  DIFFRACTION   Real-time optical monitoring of the heteroepitaxy of oxides by an oblique-incidence reflectance difference technique 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2000, 卷号: 61, 期号: 15, 页码: 10404 Chen, F; Lu, HB; Zhao, T; Jin, KJ; Chen, ZH; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  P-POLARIZED REFLECTANCE  DIFFRACTION INTENSITY OSCILLATIONS  LASER-LIGHT SCATTERING  ELECTRON-DIFFRACTION  FILM GROWTH  IN-SITU  SPECTROSCOPY  GAAS(001)  SURFACE   Properties of cubic GaN grown by MBE 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 215-221 Brandt O; Yang H; Mullhauser JR; Trampert A; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 cubic gallium arsenide film  molecular beam epitaxy  photoluminescence  transmission electron microscopy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS   COVERAGE-DEPENDENT GROWTH STRUCTURES OF SODIUM ON THE GAAS(110) SURFACE 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1993, 卷号: 32, 期号: 3B, 页码: 1401-1404 作者:  BAI, CL;  HASHIZUME, T;  JEON, DR;  SAKURAI, T   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/09 Alkali Metal  Sodium  Gaas  Fi-stm  Thin Film