机构

• 半导体研究所 [18]
• 兰州化学物理研究所 [4]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [23]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]
• 2017 [1]
• 2016 [3]
• 2008 [1]
• 2006 [3]
• 2003 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [11]
• 半导体材料 [5]
• 材料科学与物理化学 [3]
• 光电子学 [2]
• 半导体材料与器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 603-609 作者:  雷琪琪;  郭旗;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  李豫东   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/05/15 稀氮  光致发光  电子辐照  GaAsN  退火   Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 期刊论文  OAI收割 Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Han XX(韩修训)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/12/18 Gaasn  Schottky Barrier Diodes (Sbds)  Growth Orientation  C-v And G/ω-v Characteristics  Interface States   (n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文  OAI收割 工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  董琛 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2016/11/24 GaAsN  生长取向  外延生长  光电特性  Growth orientation  Epitaxial growth  Optoelectronic characteristics   Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties   Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46 作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan ZZ(范长增);  Yoshio Ohshita 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/10/25 GaAsN  First principle calculation  N incorporation  Growth orientation  Chemical potentials   Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study 期刊论文  OAI收割 european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444 Shi HL; Duan Y 收藏  |  浏览/下载：152/26  |  提交时间：2010/03/08 SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES  ZINCBLENDE  OFFSETS  GAASN  CDTE  BEO   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: art.no.011912 Sun Z; Xu ZY; Yang XD; Sun BQ; Ji Y; Zhang SY; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS   Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569 Sun Z (Sun Zheng); Wang BR (Wang Bao-Rui); Xu ZY (Xu Zhong-Ying); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Ji Y (Ji Yang); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/04/11 TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：198/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699 Luo XD; Huang JS; Xu ZY; Yang CL; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND-GAP REDUCTION  GAASN  EXCITONS