机构

• 半导体研究所 [59]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [36]
• iSwitch采集 [26]

内容类型

• 期刊论文 [55]
• 会议论文 [7]

发表日期

• 2007 [6]
• 2006 [15]
• 2005 [6]
• 2004 [3]
• 2003 [6]
• 2002 [8]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [20]
• 半导体材料 [8]
• 光电子学 [4]
• Engineerin... [1]
• Physics, A... [1]
• 半导体器件 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共62条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optimization of gainnas(sb)/gaas quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 125-128 作者:  Ni, H. Q.;  Niu, Z. C.;  Fang, Z. D.;  Huang, S. S.;  Zhang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wells  Laser   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m gainnas(sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 979-983 作者:  Zhao, H.;  Xu, Y. Q.;  Ni, H. Q.;  Zhang, S. Y.;  Han, Q. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Quantum well  Rapid thermal annealing   Optimization of GaInNAs(Sb)/GaAs quantum wells at 1.3-1.55 mu m grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 125-128 Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Fang, ZD (Fang, Z. D.); Huang, SS (Huang, S. S.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Wu, DH (Wu, D. H.); Shun, Z (Shun, Z.); Han, Q (Han, Q.); Wu, RH (Wu, R. H.) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 quantum wells   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m GaInNAs(Sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 979-983 Zhao, H (Zhao, H.); Xu, YQ (Xu, Y. Q.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Han, Q (Han, Q.); Du, Y (Du, Y.); Yang, XH (Yang, X. H.); Wu, RH (Wu, R. H.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/29 photoluminescence   Rapid photoluminescence quenching in gainnas quantum wells at low temperature 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2007, 卷号: 122, 页码: 188-190 作者:  Sun, Z.;  Yang, X. D.;  Sun, B. Q.;  Ji, Y.;  Zhang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Gainnas/gaas  Photoluminescence quenching  Non-radiative recombination   Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190 Sun, Z (Sun, Z.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs   Different temperature and pressure behavior of band edge and n-cluster emissions in gaas0.973sb0.022n0.005 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Wang, W. J.;  Su, F. H.;  Ding, K.;  Li, G. H.;  Yoon, S. F. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in gainnas/gaas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569 作者:  Sun Zheng;  Wang Bao-Rui;  Xu Zhong-Ying;  Sun Bao-Quan;  Ji Yang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhancement of photoluminescence intensity of gainnas/gaas quantum wells by two-step rapid thermal annealing 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582 作者:  Zhao Huan;  Xu Ying-Qiang;  Ni Hai-Qiao;  Han Qin;  Wu Rong-Han 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 The role of sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength gainnas/gaas quantum well with high indium content 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 作者:  Wu, DH;  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  He, ZH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wells  Nitrides  Semiconducting iii-v materials