机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 力学研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 1991 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovoltaic cells by liquid phase epitaxy 会议论文  OAI收割 Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007 作者:  Liu L;  Chen NF(陈诺夫);  Gao FB;  Yin ZQ;  Cui M 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/06/01 GaInAsSb  GaSb  LPE  Segregation coefficient  Thermophotovoltaic cell   InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 期号: 02 唐田; 张永刚; 郑燕兰; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06 抗反膜  GaInAsSb/GaSb  反射率I-V  黑体探测率   用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计 期刊论文  OAI收割 稀有金属, 2004, 期号: 03 劳燕锋; 吴惠桢 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 GaInAsSb/GaSb  红外探测器  Ⅰ-Ⅴ特性   LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1991, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1343-1347 GONG XY; YANG BH; MA YD; GAO FS; YU Y; HAN WJ; LUI XF; XI JY; WANG ZG; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/15 ROOM-TEMPERATURE OPERATION  ALLOY COMPOSITION  WAVELENGTH RANGE  LATTICE-CONSTANT  LASERS  GASB  GAINASSB  BANDGAP